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NGTB03N60R2DT4G相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NGTB03N60R2DT4G

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 9A 600V DPAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，NGTB03N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）9A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)12A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.1V @ 15V，3A
  • 功率 - 最大值49W
  • 开关能量50µJ（开），27µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷17nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值27ns/59ns
  • 测试条件300V，3A，30 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）65ns
  • 工作温度175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装DPAK

其它信息

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