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HGT1S20N60A4S9A相关型号

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ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • HGT1S20N60A4S9A

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 600V 70A 290W TO263AB
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，HGT1S20N60A4S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）70A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)280A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.7V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值290W
  • 开关能量105µJ（开），150µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷142nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值15ns/73ns
  • 测试条件390V，20A，3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）390V，20A，3 欧姆，15V
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263AB

其它信息

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